DMol3では、筑波大学の大谷教授らにより開発された有効遮蔽媒質(ESM)法*の機能が追加され、従来の方法よりも自然に界面方向に電場を印加することができるようになります。
*M. Otani and O. Sugino, Phys. Rev. B 73, 115407(2006)
DFT-D4半経験的分散補正が追加され、多体分散補正(MBD*)よりも高速で、分子結晶や他のファンデルワールス系に対して正確な構造とエネルギーを算出可能となりました。
電荷が更新され、アンモニウム(NH4+)のn4+およびh1+力場タイプの結合増分が改善されました。
双極子自己相関関数(DACF)解析ツールを使用することで、軌道の静的誘電率のランニング平均や誘電率の保存および損失スペクトルを計算可能となりました。
また、3つのセル長を独立して(または固定して)変えることができ、セルの各面に異なる応力を加えた計算ができるようになりました。
さらに、速度自己相関関数(VACF)解析ツールを利用し、Green-Kubo法を使用して拡散係数を計算することが可能となりました。
メソ構造に対するアニール、急冷ダイナミクス、制限せん断、溶媒和自由エネルギー、凝集エネルギー密度、および機械的特性の計算が可能となりました。
グランドカノニカルアンサンブル法(grand-canonical ensemble method)が実装され、電極-電解質界面の電気化学的研究に利用可能となりました。
表面-電解質界面をモデリングするための新しいReaxFFライブラリを使用可能となりました(参考:https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.1c00279)。また、2つの新しい力場ライブラリ(AA-CLPおよびNitrates)が追加されました。
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